SK海力士计划2026年向股东返还约100万亿韩元，含回购注销及高额分红

SK海力士为第一大供应商及核心供应商，子公司联合创泰拥有SK Hynix一线代理资格，向其采购数据存储器；2025年报电子元器件分销收入占比94.2%、国外收入85.3%。SK海力士拟2026年返还约100万亿韩元并高分红，直接增厚其核心供应商代理价值与存储涨价弹性。光大证券2026-01-12上调2026年归母净利预测至10.43亿元(+48%)。

控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以'全部成本+约定收益'盈利模式独家向SK海力士提供半导体后工序(封装测试)服务，绑定无锡SK海力士DRAM产线。SK海力士资本开支增至30万亿韩元以上扩产清州M15X及龙仁集群，后工序服务量直接受益，业绩确定性强。

电子湿化学品(超高纯氢氟酸、硫酸、氯气)供应商，2025年报披露通过代理+直销双模式向SK海力士(无锡)供货，SK海力士为其核心客户。存储原厂稼动率提升与扩产直接拉动湿化学品用量，SK海力士30万亿韩元资本开支扩产进一步打开其出货空间。

模组厂核心原材料为DRAM/NAND晶圆，采购自SK海力士等原厂。SK海力士Q3营收同比+328%验证存储超级周期，三大原厂将产能向HBM/DDR5倾斜造成利基DRAM供给缺口，公司2025年报披露SK海力士DRAM市占33.2%、NAND(含Solidigm)19%，直接受益原厂涨价带来的模组价差与库存增值。

利基存储国产龙头，DRAM/NAND全线涨价。原厂产能向HBM倾斜致利基DRAM显著供不应求，公司自2025Q2起利基DRAM量价齐升。SK海力士业绩爆表强化存储涨价大周期，国盛证券2026-05-07预计2026年营收189亿(+105%)、归母净利77亿(+367%)，充分受益国产替代与涨价共振。

国产半导体设备龙头(刻蚀/薄膜沉积/炉管)，是长鑫、长江存储等国产存储扩产的核心供应商。SK海力士高盈利与30万亿韩元资本开支印证全球存储供不应求，带动国内存储厂加速扩产；华西证券2026-04-06指出2026年两存扩产10-12万片、资本开支超160亿美元，公司设备订单直接受益。

全球车载存储龙头(DRAM/SRAM/NOR)，SK海力士、三星、美光将产能转向HBM致DDR4/LPDDR4严重缺货涨价。华安证券2026-04-29指出1Q26存储收入10.18亿(+53.63%)、国内涨价小几十点到一倍多，2026年毛利率逐季改善，中泰证券上调2026年归母净利至17.7亿。

国内存储模组与封测一体化龙头(Lexar/FORESEE)，DRAM/NAND颗粒直接采购自SK海力士等原厂。SK海力士Q3业绩验证存储涨价超级周期，模组价格跟随颗粒上行叠加低价库存收益，企业级SSD随AI服务器放量，业绩弹性大。

利基型NAND/DRAM设计商。2025年报明确指出三星、SK海力士、美光将产能向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜，在利基DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆供应商创造战略发展机遇；三大原厂淡出叠加MLC EOL加速2D NAND出清，公司量价齐升。

中国大陆封测龙头，XDFOI 2.5D/3D先进封装已量产并布局HBM相关堆叠工艺。存储原厂资本开支上行与HBM需求爆发带动先进封装产能紧张，公司2026年固定资产投资达99.8亿元扩产。华鑫证券2026-05-12指出其为先进封装龙头受益AI算力需求，与SK海力士HBM4技术演进同赛道协同。

公司2025年报明确为HBM核心TSV刻蚀工艺提供高端特气，深度布局HBM产业链关键环节。SK海力士、三星、美光将70%新增产能投向HBM、2026年HBM市场规模546亿美元(+58%)，TSV刻蚀气体需求随之高增，公司卡位核心受益HBM爆发。

先进封装电镀液及配套试剂供应商，封装领域市占率约30%居主导。2025年报指出产品覆盖HBM、3D堆叠等高端封装核心工艺(凸块制作、通孔填充、铜互连)，SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，HBM层数升级带来电镀液超线性需求增长。

大直径刻蚀硅材料供应商，下游为存储刻蚀用硅部件电极。2025年报指出SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上投向清州M15X及龙仁集群，HBM三维堆叠对TSV刻蚀工艺提出更高要求、刻蚀应用数量提升，直接拉动刻蚀硅材料需求。