财联社10月28日电，SK海力士称，2027年资本支出将较2026年显著增加。内存供应短缺将持续至2030年。

2025年报明确披露：公司第一大供应商为SK海力士，向其采购数据存储器，SK海力士是子公司联合创泰的核心供应商，主要经营SK海力士供应的数据存储器。SK海力士2027年资本开支显著增加、缺货持续至2030，直接强化其分销产品线的量价逻辑。

2026年2月股东会资料显示，SK海力士（含重庆、大连公司）为公司关联法人，公司向其销售产品/原材料、提供后工序封测服务，2026年向SK海力士关联采购机器设备预算1460万美元。海力士capex显著增加直接提升其在华封测配套业务景气。

DDR5内存接口芯片（RCD/DB）全球龙头，2025年报披露其全球首款CXL MXC芯片已被三星、SK海力士采用推出CXL内存产品。内存模组出货与DDR5渗透直接决定其接口芯片需求，海力士扩产与内存短缺延续至2030强化其配套芯片放量确定性。

存储模组+晶圆封测一体，产品覆盖DDR5 DRAM模组、企业级PCIe/SATA SSD、CXL DRAM模组。2025年报援引TrendForce：2025年全球DRAM市场1657亿美元，2026年预计同比增长144%至4043亿美元；2025Q3 SK海力士DRAM市占33.2%全球第一。缺货延长至2030直接抬升其量价弹性。

利基型DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4）+ NOR Flash设计龙头。2025年报明确指出：国际头部公司加速向HBM、DDR5迁移、放弃或减少利基型产品生产，带来利基型DRAM价格大幅上涨。SK海力士2027年capex重点投向HBM，将进一步挤压利基供给，公司直接受益。

2025年报明确引述：三星、美光、海力士等大厂将更多产能转向HBM，DDR4、LPDDR4产能严重不足，引发DRAM芯片缺货和涨价潮。公司利基DRAM/车规存储产品正处此供给缺口核心受益位置，缺货期延长至2030强化其涨价与份额逻辑。

存储模组头部企业，企业级PCIe/SATA SSD已完成与鲲鹏、海光、龙芯等国产CPU平台适配，并自研主控与SPU芯片。原厂产能向HBM/DDR5倾斜导致的DRAM/NAND短缺延长至2030，将驱动模组价格与出货双升，公司为涨价直接受益标的。

NAND Flash存储模组厂商，2026年2月定增募集说明书披露募投含'内存产品（DRAM）扩产项目'；其引用CFM数据：2025Q4全球DRAM市场规模600亿美元、同比+105%。内存短缺延续至2030直接利好其DRAM扩产项目的投产回报。

2025年报披露：通过代理模式销售的客户主要包括SK海力士、台湾UMC，且SK海力士（无锡）实现氯气直销，形成代理与直销双重模式。SK海力士2027年capex显著增加、扩产直接加大其电子湿化学品采购需求。

2025年报指出：三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆供应商创造战略机遇；公司布局利基DRAM+NAND/NOR。海力士扩产集中于HBM，将加剧利基供给紧张。

科创板IPO限售股上市流通公告显示，SK海力士（无锡）投资有限公司为公司股东（战略配售/产业基金持股方），公司主营磷酸、硫酸、氢氟酸等半导体湿电子化学品，深度绑定存储原厂扩产；海力士capex上调强化其材料配套需求预期。

数据存储主控芯片设计公司，SSD主控与NAND颗粒搭配使用，2025年报指出AI训练推动Gen5 SSD与QLC企业级SSD占比提升。内存/闪存供应短缺延长至2030带动模组厂放量，主控芯片作为每颗模组必备器件同步受益。

2025年报称薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑，混合键合设备将随HBM堆叠层数提升带来新需求。招商证券2026-06-03研报指出国内长江存储三期2026H2投产、长鑫存储扩产，全球存储capex上行同步拉动国内扩产设备订单。

东吴证券2026-06-23研报指出：SK海力士2026Q1净利同比+406%创纪录，国内长鑫存储已启动HBM扩产（拟IPO募295亿元用于DRAM/HBM升级），HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道提升至15道以上，存储测试机需求成倍增长，公司为本土存储测试机放量标的。

主营SSD固态硬盘、DRAM内存条、嵌入式与移动存储。2025年报援引CFM数据：2025Q4原厂大范围涨价，存储产品合约价涨幅普遍超30%、个别达70%，DRAM市场规模环比+49.86%至600亿美元。缺货持续至2030的指引强化其库存与渠道涨价收益。