SK海力士涨幅扩大至10%
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子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025年7月1日至2030年6月30日），以'全部成本+约定收益'模式为其提供半导体后工序服务，产品全部销往SK海力士、产量即销量（2025年年报）。海力士Q3营收破100万亿韩元、未来三年产能售罄直接提升其订单规模与业绩确定性。
旗下分销平台联合创泰拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格（公司档案），2025年报电子元器件分销收入占比94.2%。国盛证券2026-04-24研报预计公司2026年营收987亿元、归母净利59亿元，存储高景气下直接受益于海力士产品涨价与放量。
公司档案明确其已进入英特尔、美光、台积电、SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系。2025年报指出公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，2026年HBM市场规模预计546亿美元（+58%）、产能缺口50%-60%，海力士三年产能售罄印证特气需求持续放量。
硅零部件产品已进入长江存储、长鑫存储、SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂（浙商证券2026-01-06研报）；2025年报引述SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上投向清州M15X及龙仁集群，HBM/3D NAND扩产提升刻蚀用硅材料与零部件价值量，2025年硅零部件收入占比已达54.1%。
2025年报披露公司2022年全球首发CXL MXC芯片，三星电子及SK海力士先后推出的最新CXL内存产品均采用其MXC芯片；内存接口芯片占2025年收入94.2%、利润99.2%。海力士DRAM/HBM未来三年产能售罄带动DDR5/CXL内存生态扩张，公司作为核心配套芯片商直接受益。
存储芯片占2025年收入71.3%（NOR全球第二+利基DRAM），2026年1月公告增资实施DRAM募投项目。国盛证券2026-05-07研报指出公司26Q1 DRAM环比翻倍增长、利基存储全面涨价，预计2026年营收189亿元（+105%）、归母净利77亿元（+367%）。三大原厂产能向HBM倾斜形成利基DRAM供给缺口，公司为核心国产替代标的。
存储芯片占2025年收入61.4%。2025年报明确指出：AI服务器带动HBM产能急剧趋紧，三星、美光、海力士将产能转向HBM，DDR4、LPDDR4产能严重不足引发DRAM缺货涨价潮，公司拥有深厚DRAM设计经验并持续推进3D DRAM研发，直接受益于原厂产能售罄带来的利基DRAM涨价。
2025年报指出三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，'为中国大陆供应商创造了战略发展机遇'；公司为大陆少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的厂商，2025年NAND+MCP占收入90.2%，原厂产能售罄直接放大其替代空间。
研发封测一体化存储厂商，2025年嵌入式+PC存储占收入93.6%，获大基金二期战投。2025年报引TrendForce数据：2025Q3 DRAM市场SK海力士、三星市占分别达33.2%、32.6%，原厂产能向HBM集中推动DRAM合约价大涨（26Q1常规DRAM季增55-60%），公司作为模组厂受益于涨价周期与库存增值。
2025年度向特定对象发行募集说明书（修订稿）明确披露'发行人主要供应商SK海力士'，嵌入式存储占2025年收入44.0%。海力士未来三年DRAM/HBM产能近乎售罄、存储供给紧张持续，作为其直接采购方与模组品牌商，公司享受原厂涨价下的产品提价与存货增值红利。
2025年报披露：子公司衡所华威颗粒状环氧塑封料GMC在存储器件领域突破，GR910系列已在NAND FLASH通过考核并批量供货；韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC的技术能力，'有望直接切入全球AI算力芯片供应链'。环氧塑封料占收入93.5%，海力士HBM扩产直接拉动上游塑封料需求。
申万宏源2026-05-05研报指出公司已成为中芯国际、台积电、SK海力士等国内外知名厂商的重要供应商；华创证券2026-04-04研报指出公司在韩国龟尾布局生产基地，贴近SK海力士等核心客户扩产节奏。超高纯靶材占2025年收入61.9%，海力士产能扩张直接拉动靶材需求（注：该关联为研报二级证据）。
国内存储主控芯片第一股，自研主控+固件双平台，固态硬盘+嵌入式存储占2025年收入76.5%。2026年2月募集说明书详述SK海力士1c DDR5 DRAM及HBM4量产进展、原厂产能向高端集中趋势。原厂通用存储供给收缩下，公司模组业务受益于NAND/DRAM涨价周期与国产主控替代。
科创板光刻胶第一股，电镀液+光刻胶占2025年收入约71.5%。2025年报指出HBM正从8层向12、16层演进，SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，'每一层DRAM堆叠都需要独立光刻工艺，堆叠层数指数级增长驱动光刻胶需求超线性扩张'，国内先进封装光刻胶国产化率不足20%，公司为国产替代核心受益企业。
东吴证券2026-06-23研报指出：HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道提升至15道以上，存储测试机需求成倍增长；国内长鑫存储已启动HBM扩产（拟IPO募资295亿元），国产HBM量产带动存储测试设备放量。公司测试机占2025年收入60.5%，为国产存储测试机龙头（注：研报二级证据，结合公告主营验证）。