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韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPD...
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
韩国芯片巨头SK海力士宣布全球率先研制出第六代10纳米级同步动态随机存取记忆体(DRAM),采用第六代10纳米级DRAM技术(1c工艺),成功研制16Gb第六代低功耗双倍数据速率(LPDDR6)DRAM。公司将争取2026年上半年内完成量产准备工作,并从下半年起开始供货。基于1c工艺的LPDDR6产品将主要搭载于采用端侧人工智能(On-device AI)技术的智能手机、平板电脑等产品,与前款LPDDR5X相比,数据速率提升33%,能耗降低20%以上。
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