利基存储涨价带来业绩强确定性，长鑫IPO注册获批有望持续带动板块情绪
内存
闪存
中泰电子研报指出，利基存储Q1-Q2涨价持续超预期，预期Q3供给仍紧张，涨价有望继续超预期，国内存储设计公司利润或进一步增厚；存储代表设计公司今年约20倍PE，估值仍为最低方向。研报强调强催化：长鑫上市在即，6月12日证监会已同意长鑫IPO注册。建议关注兆易创新、北京君正、普冉股份、国科微、联芸科技、澜起科技、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份等。
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15 只 · 按关联度排序
兆
95%
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国内NOR Flash+利基型DRAM龙头，存储芯片收入占比71.3%（2025年报）。研报直接点名受益于利基存储Q1-Q2涨价超预期，公司所处专用型存储（NOR Flash、SLC NAND、利基DRAM）2025年全球规模约157亿美元。近4日主力资金净流入7.5亿元，资金面强劲配合。
北
93%
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通过收购ISSI布局利基型DRAM和Flash，存储芯片收入占比61.4%（2025年报）。利基DRAM涨价直接增厚利润，研报直接点名推荐。近4日主力资金净流入3.3亿元，验证板块情绪升温。
联
92%
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国内存储主控芯片龙头，数据存储主控芯片收入占比87.6%（2025年报），是存储产业链核心环节。存储涨价带动存储模组需求，主控芯片出货量直接受益。2024年11月科创板上市，次新弹性标的，研报直接点名。
东
90%
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国内少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM全线存储芯片解决方案的设计公司。NAND产品收入占比65.2%、DRAM占比5.8%，存储涨价直接增厚业绩，研报直接点名推荐。
恒
88%
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NOR Flash存储芯片收入占比86.3%（2025年报），公司注册地位于合肥，与长鑫存储同城协同。利基存储涨价直接受益，且长鑫上市有望带动合肥半导体板块整体估值提升，研报明确建议关注。
佰
85%
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国内存储模组+先进封测一体化企业，嵌入式存储收入占比60.9%（2025年报），采购DRAM/NAND晶圆包含长鑫等国产供应商。年报明确指出存储芯片国产化率仅5%-10%，长鑫上市+涨价双重催化。近4日主力净流入2.1亿元。
德
82%
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存储主控芯片设计+存储模组厂商，100%收入来自存储业务。定增公告中明确将长鑫存储列为国产DRAM代表厂商，与长鑫存在供应链传导关系。存储涨价直接提升模组ASP和毛利率，业绩弹性大。
中
78%
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等离子体刻蚀和薄膜沉积设备龙头，年报明确指出存储技术由2D转向3D，堆叠层数增加使刻蚀和薄膜设备成为关键核心设备。长鑫上市后资本开支扩张将直接拉动设备采购，收入100%来自半导体设备。
深
72%
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存储半导体业务收入占比26%（2025年报），提供存储芯片封装测试和模组制造服务，客户覆盖国内外主流存储芯片厂商。长鑫上市后产能扩张将带来封测外包增量，存储涨价亦利好存储封测业务。
北
72%
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国内最大半导体设备平台，电子工艺装备收入占比93.3%。刻蚀、薄膜、清洗设备全面覆盖存储晶圆制造产线，长鑫IPO募资扩产将带动设备采购需求。存储涨价周期中晶圆厂扩产意愿增强，设备商优先受益。