大摩：上调美光目标价至1200美元 维持“增持”评级
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【大摩：上调美光目标价至1200美元 维持“增持”评级】摩根士丹利发表报告，将美光科技的目标价由1050美元上调至1200美元，维持“增持”评级。该行将2027财年每股盈利预测上调约40%至每股168美元，自由现金流预测从1040亿美元提升至1400亿美元。该行与美光管理层看法一致，认为AI将使DRAM需求在2027年后持续大幅超越供给。美光上财季业绩符合此趋势，季度表现及展望均有显著上行空间。
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佰
92%
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国产存储模组龙头，嵌入式存储收入占60.9%、PC存储占32.7%。年报明确将美光列为全球三大DRAM原厂之一，且已与美光等主要晶圆厂签订长期供应协议。积极布局HBM及CXL DRAM模组，AI驱动DRAM需求超供给直接推升存储晶圆涨价，公司受益于库存升值与量价齐升。
澜
92%
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全球内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占94.2%。DDR5世代每根内存模组都需要配套接口芯片(RCD/MDB)及SPD。AI驱动DRAM需求爆发推升服务器内存模组出货量，公司作为DDR5接口芯片核心供应商量价齐升，境外持仓达12.76%。
北
90%
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通过ISSI运营车规级DRAM/SRAM品牌，存储芯片收入占61.4%。2025年报指出三星、美光、海力士逐渐将产能转移至HBM等高端产品，消费类DRAM出现供应短缺，与大摩观点一致。公司作为独立DRAM设计商直接受益于涨价与国产替代。
江
90%
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全球领先存储品牌企业，100%收入来自存储业务，产品线覆盖嵌入式44%、SSD 24.5%、内存条9.7%。DRAM涨价周期直接提升产品ASP与毛利率，拥有Lexar等国际品牌，海外收入占66.8%，全球DRAM供需收紧弹性大。
德
90%
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存储主控芯片+模组一体化厂商，DRAM内存条收入占9.7%且正通过DRAM扩产项目大幅扩产。固态硬盘42.5%+嵌入式存储34%受益于NAND涨价。近5日主力资金净流入4.35亿元，资金面与基本面共振。
兆
88%
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国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占71.3%(NOR Flash全球第二)，已量产4Gb DDR4利基型DRAM。AI令DRAM供需紧张带动存储行业整体景气上行，NOR Flash亦受服务器需求拉动，累计出货超270亿颗。
通
88%
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封测龙头，DRAM封测能力伴随国产存储同步成长。2026年定增预案明确设立存储芯片封测产能提升项目，覆盖FLASH、DRAM产品高堆叠封装，与存储领军企业建立长期合作。DRAM扩产直接拉动封测需求。
聚
87%
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全球领先存储模组配套芯片供应商，存储类芯片收入占87.6%。DDR5内存条标配SPD芯片，公司拥有DDR2至DDR5全系列SPD芯片。DRAM需求爆发带动内存模组出货，每根DDR5模组都需要配套SPD+TS芯片。
香
85%
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国内最大存储分销平台，电子元器件分销收入占94.2%，核心代理SK海力士DRAM存储芯片。2025半年报指出三星、SK海力士、美光占据全球超95% DRAM份额。DRAM涨价周期中分销商直接享受价差扩大和库存重估。
精
85%
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国内稀缺的半导体存储测试设备企业，半导体存储器件测试收入占55.6%，产品包括DRAM FT测试机、HBM存储芯片集成化测试系统。深度受益于DRAM扩产带来的设备采购需求，年报指出供需显著收紧。
东
82%
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国内少数同时具备NAND、NOR、DRAM完整产品线的芯片设计公司，DRAM产品占5.8%，NAND系列占65.2%，DRAM工艺节点达25nm。AI驱动存储用量提升+国产替代双重逻辑，DRAM紧缺周期中直接受益。
长
82%
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全球封测前三，提供高密度存储(2.5D/3D/SiP)封装解决方案。存储芯片扩产直接增加封测需求，在韩国、新加坡等地服务三星、海力士等存储客户。芯片封测收入占99.6%，存储景气上行拉动稼动率与单价。
中
82%
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国产刻蚀设备龙头，年报指出存储器技术由二维转向三维架构，刻蚀设备越来越成为关键核心设备。DRAM及3D NAND扩产带动刻蚀设备需求，已进入国际存储大厂供应链，AI驱动存储投资扩产直接受益。
联
80%
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国内SSD主控芯片龙头，数据存储主控芯片收入占87.6%。与头部存储模组厂建立稳定合作。SSD主控是NAND Flash存储产业链核心环节，存储需求爆发带动主控芯片出货量增长，国产替代逻辑持续强化。
普
78%
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SPD及TS芯片配套DDR5内存条，应用于计算机和服务器。年报显示SPD芯片配套新一代DDR5内存条，推广速度受益于DDR5渗透率提升。DDR5内存模组出货量随AI服务器需求增长而增加，公司直接受益。
北
76%
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国内半导体设备平台龙头，电子工艺装备收入占93.3%。刻蚀、薄膜、清洗等设备全面覆盖存储芯片制造关键环节。全球DRAM与3D NAND扩产周期为公司设备业务提供增量需求，AI驱动存储投资增长。