美银证券：AI内存供给短缺至少会持续到明年底
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【美银证券：AI内存供给短缺至少会持续到明年底】联社6月26日电，美银证券高级半导体分析师Vivek Arya最新表示，内存行业正在经历一场由人工智能驱动的根本性结构变革，美光科技最新的季度业绩表明，制造专为人工智能优化的存储芯片所需的产能是传统计算产品的三到四倍。他在接受最新采访时解释说，“没有存储芯片，就没有人工智能”，并指出近期看到的盈利激增——远远超过了人们的预期——反映的是一种永久性的转变，而不是典型的周期性上升。
Arya还预计，AI内存的供需失衡至少会持续到明年年底。他提到，美光已宣布与16家不同的客户达成里程碑式的协议，这些协议将提供多年价格、数量和供应方面的可见性。“我认为这次的周期持久性有所不同，”他说道，并强调即使存储芯片制造商想要提高产量，但土地、电力和制造空间等物理限制使得快速扩张几乎不可能。
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佰
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AI内存供需失衡核心受益标的，主营业务100%为半导体存储器（嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%），2025年报明确指出AI数据中心驱动HBM及企业级存储需求爆发，公司具备存储芯片研发封测一体化能力，产品线覆盖CXL DRAM模组、企业级SSD等AI服务器核心存储方案，嵌入式存储利润占比62.8%直接受益于内存涨价与供给短缺。
澜
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全球DDR5内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占比94.2%，2025年报披露MRCD/MDB高带宽内存接口芯片已用于MRDIMM模组，支持速率达DDR5-8800，是AI服务器内存模组不可或缺的配套芯片。AI内存短缺加速DDR5渗透率提升，公司作为全球市占率领先的接口芯片供应商直接受益量价齐升。
兆
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国内存储芯片设计龙头，2025年报显示存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球第二）并积极布局DRAM利基型市场。AI时代端侧推理（AI PC/AI手机）对存储容量需求倍增，公司作为国产存储芯片最大独立设计公司直接受益于AI内存供需失衡带来的国产替代与价格上涨弹性。
北
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通过全资子公司ISSI布局全球车规级DRAM市场，2025年报显示存储芯片收入占比61.4%（利润占比57.6%），产品覆盖DRAM、SRAM、Flash。AI内存短缺推升全品类存储价格，公司DRAM产品直接受益涨价周期；近4日主力资金净流入12.8亿元，市场对其存储业务重估信号强烈。
江
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全球领先半导体存储品牌，2025年报显示嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%。公司面向AI服务器的企业级SSD和RDIMM内存条募投项目正处放量期，AI内存短缺直接利好其企业级存储产品出货与毛利率扩张，大基金二期持股彰显产业认可。
德
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存储模组及主控芯片公司，2025年报显示存储业务收入占比100%（固态硬盘42.5%、嵌入式34%），公告中明确提出加快发展高带宽、高容量存储器的募投方向。AI内存供给短缺周期中存储模组厂商库存价值重估弹性最大，公司纯存储业务结构使其成为涨价周期的直接受益者。
东
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国内少数同时提供NAND Flash（65.2%）、NOR Flash（3.6%）、DRAM（5.8%）完整存储芯片解决方案的设计公司。产品广泛应用于通信、工业控制等领域，AI内存短缺带来的涨价效应传导至利基型存储市场，公司NAND和DRAM产品线直接受益于供需失衡导致的ASP上行。
华
85%
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国内封测龙头（全球前十大），2025年报明确披露在RDL、Bumping、TSV等先进封装工艺上的布局，直接服务于HBM和2.5D/3D封装需求。AI内存短缺推动存储厂扩产，封测环节作为刚需产能配套，公司存储芯片封测收入占比持续提升，先进封装产能利用率上行直接增厚利润。
通
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国内封测三强之一，2025年报披露募投项目重点布局存储芯片封测及先进封装，公告明确提到通过TSV和硅中介层技术实现HBM封装。公司与AMD深度绑定（AMD为第二大股东），AI内存短缺背景下先进封装产能供不应求，带动其产能利用率及利润率上行。
香
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SK海力士中国区核心代理商，2025年报显示电子元器件分销收入占比94.2%，拥有SK海力士、MTK等一线品牌代理资格。AI内存短缺直接推升存储芯片价格，分销商库存价值重估弹性巨大，近4日主力资金净流入6.38亿元，市场正积极定价其存储涨价受益逻辑。
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国内数据存储主控芯片龙头，2025年报显示数据存储主控芯片收入占比87.6%。公告明确提出面向AI数据中心的高带宽、大容量企业级主控芯片研发方向，兼容PCIe Gen6/CXL接口。AI内存短缺带动存储扩容，主控芯片作为存储设备核心直接受益量价齐升。
中
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国内刻蚀设备龙头，2025年报明确将HBM、TSV、3D IC先进封装工艺纳入其刻蚀设备应用场景。存储芯片扩产（尤其3D NAND层数增加和HBM堆叠层数提升）对高深宽比刻蚀设备需求陡增，公司CCP/ICP刻蚀设备在存储产线国产化进程中持续替代，订单弹性显著。
华
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国内CMP设备龙头，2026年4月公告第1000台CMP设备出机，2025年报明确表示紧跟HBM、CoWoS等先进封装技术趋势，CMP设备已批量进入存储产线。DRAM制程迭代及3D NAND层数增加对CMP抛光步骤需求倍增，公司作为国内CMP设备独家龙头直接受益。
华
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国产电子特气龙头，2025年报披露高纯三氟甲烷、乙硅烷等产品已用于DRAM、HBM和3D NAND制程，直接进入美光科技、SK海力士、三星等全球存储巨头供应链。AI内存扩产直接拉动电子特气耗材需求，公司光刻及其他混合气体收入占比22%，受益确定性高。
雅
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半导体前驱体材料核心供应商，2025年报显示半导体材料收入占比31.4%且拥有HBM概念板块。前驱体是DRAM/HBM制造中ALD/CVD工艺的关键耗材，美光/SK海力士扩产直接拉动需求。公司通过收购切入SK海力士供应链，AI内存短缺周期中材料耗材属性赋予其需求刚性。
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半导体电镀液/蚀刻液龙头，2025年报披露TSV硅通孔电镀液已用于先进封装，3D NAND存储芯片用高选择比氮化硅蚀刻液达国际领先水平（选择性蚀刻速率2000:1），蚀刻液收入同比增长超80%。AI内存扩产对TSV电镀液和存储蚀刻液需求激增，公司作为国产供应商直接受益。
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高端电子封装材料供应商，2025年报披露集成电路封装材料收入占比16.2%，公告明确提到HBM存储器封装、TSV材料、ABF载板等高端品类需求激增。公司产品覆盖晶圆UV膜、底部填充胶、导热界面材料等HBM封装关键辅材，AI内存产能扩张直接拉动出货量。