长鑫科技（N长鑫）登陆科创板，上市首日高开471.59%，报49.5元/股，总市值达3.31万亿元。多家公募提示旗下ETF参考净值（IOPV）与实际净值存在差异风险，因ETF按发行价8.66元/股估值，而上市后前5个交易日不设涨跌幅限制。长鑫科技此前被曝与字节跳动签下70亿美元大单，且海外合约一度溢价超5倍。其巨额募资将主要用于存储芯片扩产，国产存储及设备产业链关注度显著提升。市场预期长鑫单日交易将吸纳千亿级别资金，对科创板及半导体板块流动性与情绪产生重要影响。
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12 只 · 按关联度排序
盛
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长鑫科技核心半导体设备供应商。盛美上海2025年募集说明书明确将"合肥长鑫"列为其客户，其清洗设备已进入长鑫DRAM产线。长鑫上市募资扩产将直接拉动盛美的清洗/电镀设备订单，公司半导体清洗设备收入占比33%。
北
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北方华创高管袁训同时兼任长鑫新桥存储技术有限公司、长鑫集电（北京）存储技术有限公司董事（来源：北方华创2025年年报）。公司刻蚀设备2024年收入超80亿元，广泛应用于存储芯片制造。长鑫扩产将直接拉动北方华创刻蚀/薄膜等工艺设备需求。
商
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长鑫存储技术有限公司官方授权商络电子在中国大陆地区销售规定范围内的CXMT（长鑫存储）产品（来源：商络电子2024年年报）。商络电子是长鑫存储在中国大陆的授权分销商，长鑫科技上市后产能扩张将带动其分销业务量。
中
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中微公司2026年一季报明确披露其第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得140:1高深宽比刻蚀结果并已用于先进存储芯片制造。通富微电2025年年报显示袁训同时担任中微公司、长鑫存储子公司董事，验证了与长鑫的深度绑定。
佰
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佰维存储2025年年报将长鑫存储列为全球四大DRAM原厂之一（份额5.8%），并明确全球存储晶圆产能集中于三星、SK海力士、美光、铠侠、长江存储、合肥长鑫等原厂，公司作为存储模组厂商直接采购长鑫DRAM晶圆用于生产。长鑫扩产增强本土供应，佰维直接受益。
通
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通富微电2025年年报披露与长鑫集电（北京）存储技术有限公司、长鑫新桥存储技术有限公司存在"相同的董事"关联关系。公司是国内封测龙头，长鑫DRAM芯片的封测需求随扩产激增，通富微电作为同一董事体系下的封测企业有望获得配套订单。
兆
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长鑫科技上市引爆存储芯片板块关注度。兆易创新是A股存储芯片设计龙头，存储芯片收入占比71.3%（2025年报），SPI NOR Flash全球市占率第二，同时布局利基型DRAM。长鑫作为本土DRAM龙头上市，带动存储行业整体估值提升和国产替代情绪。
大
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新闻提到长鑫科技与字节跳动签下70亿美元大单。大普微2025年年报显示字节跳动是其核心下游客户。公司是国内企业级SSD龙头（2023年国内市占率6.4%），字节跳动作为云服务巨头大量采购企业级存储，与长鑫科技大单形成逻辑呼应。
北
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北京君正通过收购北京矽成（ISSI）切入DRAM/SRAM存储芯片领域，2025年报显示存储芯片收入占比61.4%。作为A股重要的存储芯片设计公司，受益于长鑫科技上市带动的存储板块估值重估和国产替代加速。
澜
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澜起科技是全球内存接口芯片龙头，收入94.2%来自内存接口芯片（2025年报），与DRAM模组深度绑定。长鑫科技扩产将增加对DDR5 RCD/MDB等内存接口芯片的需求，澜起作为配套芯片供应商间接受益于DRAM出货量增长。
东
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东芯股份是国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM三类存储芯片完整解决方案的公司（2025年报），DRAM系列产品收入占比5.8%。长鑫科技上市提升存储板块关注度，公司作为科创板存储芯片设计标的受益于板块情绪外溢。
雅
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雅克科技半导体前驱体材料广泛运用于DRAM内存芯片制造（来源：雅克科技2025年年报），是薄膜沉积工艺核心材料。长鑫科技扩产将带动上游半导体材料采购需求，公司作为国内前驱体材料龙头有望受益于本土存储厂产能扩张。