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财联社7月30日电,三星电子第二季度销售额171.50万亿韩元,第二季度营业利润89.49万亿韩元。第二季度净利润71.27万亿韩元,预估68.36万亿韩元。

财联社7月30日电,三星电子第二季度销售额171.50万亿韩元,第二季度营业利润89.49万亿韩元。第二季度净利润71.27万亿韩元,预估68.36万亿韩元。

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2025年年报明确披露:产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等知名终端客户,是NOR Flash/EEPROM芯片直接供应商,三星业绩超预期直接利好出货量增长。
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2026年募集说明书明确提到美光、三星、海力士等原厂均宣布涨价,存储市场量价齐升,且全球NAND和DRAM晶圆供应商仅三星电子、海力士、美光等少数原厂,三星是核心上游供应商。
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2025年年报指出全球主要NAND Flash IDM原厂包括三星,公司与主要NAND及DRAM晶圆原厂签订了长期协议。三星业绩超预期印证存储行业景气,带动嵌入式存储(收入占比60.9%)销售。
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存储芯片收入占比71.3%,SPI NOR Flash全球第二。2025年报指出DRAM需求爆发、存储芯片需求升温、价格上涨,作为A股存储设计龙头,直接受益于三星业绩超预期所确认的全球存储行业景气。
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存储芯片收入占比61.4%(通过矽成ISSI),产品涵盖DRAM等。三星业绩超预期验证全球存储需求旺盛,DRAM产品受益于行业量价齐升趋势。
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100%收入来自存储业务,嵌入式存储收入占比44%,海外收入占比66.8%。三星业绩超预期确认行业景气,公司作为存储品牌龙头直接受益于存储芯片量价齐升。
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国内少数同时覆盖NAND Flash(收入占比65.2%)和DRAM(5.8%)的芯片设计公司。存储行业景气上行带动其NAND系列产品出货,三星业绩超预期是行业强劲需求的验证信号。
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2025年报明确薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑。三星业绩超预期推动存储原厂资本开支,公司PECVD/ALD设备需求增长。
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刻蚀设备是3D NAND(200+层堆叠)和DRAM制造核心装备,2025年报披露半导体设备收入100%。存储原厂业绩超预期带动扩产,公司等离子体刻蚀设备作为前道核心设备直接受益。
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闪存应用产品收入占比70.9%,2025年报引述CFM数据:服务器NAND需求同比增长逾50%、DRAM需求同比增长40%以上,且三星等原厂开展大范围涨价,公司受益于量价齐升。
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芯片封测收入占比99.6%,全球封测龙头覆盖存储封装,海外收入占比78.3%。存储芯片需求增长直接拉动封测环节订单,三星业绩超预期确认的景气上行利好存储器封测业务。
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2025年报显示公司面向3D NAND/DRAM存储器芯片制造开发了蚀刻系列产品(氮化硅/钛蚀刻液)。存储原厂高景气带动扩产和耗材需求提升,集成电路材料收入占比76.3%,直接受益。