长鑫科技成海外存储芯片主题ETF重仓股，外资加速将中国硬科技纳入长期配置框架

与长鑫科技（长鑫集团）存在直接战略合作：2026-03-31关联交易公告披露长鑫集团为国内稀缺DRAM IDM，开放产能为公司利基型DRAM代工，2026年度预计采购DRAM产品8.25亿美元（约57.11亿元）；公司存储芯片占2025年收入71.3%，是长鑫科技最直接的A股映射标的。

全球内存接口芯片龙头，DDR5 RCD/MRD/MDB及CXL MXC芯片于2023年8月全球首家通过CXL联盟测试，内存接口芯片占收入94.2%；长鑫等DRAM原厂扩产及AI服务器需求直接拉动内存接口芯片出货，深度受益存储国产化。

年报披露其董事（华芯投资高管）兼任长鑫新桥存储、长鑫集电（北京）董事；PECVD/ALD薄膜沉积设备已规模化导入国内存储产线，3D NAND/3D DRAM/HBM混合键合设备打开新空间；公告引述长鑫存储2025年产能同比+50%、年底月产能约30万片。

2025年报披露"长鑫科技集团股份有限公司 本公司关联自然人担任董事的公司"；全球封测龙头（芯片封测占收入99.6%），具备2.5D/3D及高密度存储封装能力，长鑫存储扩产带动先进存储封装需求，AI服务器存储封装是其增长方向。

2025年报明确存储晶圆采购对象含合肥长鑫等原厂，并称"以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂迎来历史机遇"；主营嵌入式/PC存储模组+先进封测一体化，获国家大基金二期战略投资，直接受益国产存储放量。

国内高端存储芯片封测龙头，主营DRAM（DDR4/DDR5/LPDDR5）、NAND及嵌入式存储封测，存储半导体业务占2025年收入26%、利润28.9%；子公司合肥沛顿存储位于合肥长鑫所在地，深度绑定国产存储封测需求。

2026-03-07定增预案点名"以长江存储、长鑫存储为代表的国内存储晶圆厂商实现技术突破，加速DRAM及NAND国产化"；公司存储业务收入占比100%（SSD 42.5%/嵌入式34%/内存条9.7%），国产晶圆供给放量直接受益。

全球领先半导体存储品牌企业，嵌入式存储/固态硬盘/移动存储/内存条四大产品线，自研SLC NAND芯片（DPPM低于100）；2025年报披露NAND对DRAM缓存卸载等创新技术，存储景气上行直接增厚业绩。

大陆少数可同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的存储芯片设计公司（NAND占收入65.2%），布局利基型DRAM标准型与低功耗两大系列；存储国产化率提升与原厂扩产带动中小容量存储需求。

存储芯片占2025年收入61.4%（源自ISSI的车规DRAM、NOR、SRAM），面向汽车与工业利基市场；存储行业景气上行及国产替代趋势提升其产品价值量，是利基存储赛道核心标的。

半导体前驱体材料（high-k/硅基/金属）广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片先进制程，2025年报披露电子材料收入占比59%；电子特气（科美特）与光刻胶配套，长鑫等存储扩产直接拉动材料需求。

第一大供应商为SK海力士，DRAM数据存储器分销占收入94.2%；自研"海普存储"企业级DDR4/DDR5/Gen4 eSSD已完成服务器平台认证量产并于2025年首次年度盈利，存储景气上行带来分销+自研双轮受益。

刻蚀设备龙头（概念板块含高带宽存储器HBM），长鑫存储2025年产能同比+50%及3D DRAM/HBM扩产带动刻蚀设备需求；属科创50/半导体指数权重股，直接受益外资配置中国硬科技的指数化资金流入。

国内半导体设备平台龙头（刻蚀/薄膜/清洗/热处理），设备批量供货国内存储芯片制造产线；长鑫、长江存储扩产带来设备采购增量；为半导体指数核心权重股，受益范达等外资ETF对中国半导体的被动配置。