面向2.5D/3D先进封装 长电科技高深宽比TSV研发取得突破

新闻直接主体。公司2025年报披露拥有晶圆级封装(WLP)、2.5D/3D封装、SiP、倒装芯片封装等全系列先进技术，芯片封测收入占比99.6%，本次高深宽比TSV研发突破并完成样品试制，直接增强其微系统集成平台底层工艺能力，面向高算力/高存力芯片系统级集成。

2026-04-01定增问询函回复公告明确披露公司拥有2.5D异构集成技术、先进倒装封装(FC)等，并"通过硅通孔(TSV)与硅中介层技术实现HBM"封装，与长电科技同处国内封测第一梯队，直接受益于TSV/2.5D/3D先进封装赛道景气度提升。

公司产品线含TSV、WLP、Bumping、Fan-Out等先进封装系列；2025年报披露通过募集资金向华天昆山增资9亿元用于《TSV及FC集成电路封测产业化》项目，TSV封装产能布局与长电科技同向，共享2.5D/3D先进封装扩产逻辑。

2026-03-11投资者说明会公告自述"晶圆级TSV封装技术的领先者"，专注晶圆级TSV工艺在堆叠、光电共封等应用；2025年报指出3D堆叠利用TSV实现最短垂直互连距离、驱动2.5D/3D封装放量。TSV是公司核心工艺，与长电此次突破属同赛道直接对标。

2026-03-31"提质增效重回报"行动方案公告明确："推进公司的TSV硅通孔刻蚀设备也越来越多地在先进封装和MEMS器件生产中应用"。深硅刻蚀是TSV制备首道关键工序，中微为国内TSV刻蚀设备核心供应商，直接受益于长电及行业TSV产能与工艺升级。

2025年报披露TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D先进封装工艺，三维堆叠电镀设备Ultra ECP 3d可为高深宽比(>10:1)铜应用提供无孔洞镀铜；半导体电镀设备收入占比12.2%。TSV制备环节(镀铜+清洗)核心设备供应商，直接匹配长电TSV工艺需求。

2025年报披露公司减薄装备覆盖TSV、3D IC、CoWoS、HBM等关键工艺需求，CMP贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，是国内极少数实现12英寸CMP装备规模化量产的企业(CMP设备收入占比87.2%)。TSV制程关键CMP/减薄设备供应商。

2025年报披露公司构建覆盖硅通孔(TSV)、RDL、Bumping的完整产品矩阵，"RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上的国内封装厂"，TSV电镀添加剂在客户端测试验证中；HBM3E、Chiplet 3D堆叠直接带动TSV添加剂需求激增。TSV电镀材料核心国产供应商。

2025年报披露"实现Chiplet的技术方式包括硅通孔技术(TSV)、扇出型封装、2.5D/3D封装等多种形式，在先进制程受限下将成为我国封测行业新突破口"；二期投资111亿元以先进晶圆级封装为主，涉及2.5D/3D先进封装。与长电同处先进封装扩产赛道。

2025年报披露产品覆盖应用于先进封装的铜、镍、锡银电镀液及添加剂以及硅通孔(TSV)电镀液及添加剂，并指出铜互连电镀液成本占TSV工艺总成本比重高；CMP抛光液收入占比81.5%，同环节覆盖TSV金属化所需抛光。TSV工艺材料直接供应商。

2025年报披露公司量产适用于TSV工艺的铜互连电镀添加剂，已实现3D-TSV中微孔高效电镀填充、深宽比可达20:1；报告期电镀液及添加剂系列销售额同比增长40%。TSV电镀材料国产主力供应商，直接受益于2.5D/3D封装对TSV材料需求的增长。

2025年报披露ALD技术凭借高均匀性、台阶覆盖率主要应用于TSV、TGV、有源硅中介层DTC等高深宽比结构薄膜沉积，为Chiplet、HBM、2.5D/3D封装提供核心工艺支撑，先进封装ALD/CVD产品已在部分客户端验证。TSV高深宽比薄膜沉积设备供应商(注：半导体类设备收入占比33.5%)。

2025年报披露公司单片湿法设备(清洗机、去胶机、刻蚀机)可广泛应用于来料清洗、TSV深孔清洗、Flux清洗及多种介质层湿法刻蚀工艺。TSV深孔清洗为高深宽比硅通孔制备后段关键工艺，公司为该环节湿法设备国产供应商。

2025年报披露硅通孔(TSV)电镀产品主要应用于2.5D/3D封装，对小孔和高深宽比结构有优异填充能力；"TSV填孔镀铜是HBM工艺中最核心、最难的工艺"，公司研发的硅通孔电镀添加剂可对标国际品牌，正为头部客户提供方案。TSV电镀化学品国产标的(注：现阶段营收仍以PCB化学品为主)。

2025年报披露2.5D/3D、Chiplet等先进封装成为延续摩尔定律最佳选择，2025年国产EMC在低CTE、高导热、颗粒状(GMC)等前沿材料领域实现规模化落地，公司环氧塑封料收入占比93.5%，为先进封装成型环节核心材料供应商，受益于TSV/2.5D/3D封装放量带来的材料需求。