韩国总统府：政府将争取防止美半导体关税相关举措给韩企带来不利影响
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全球NOR Flash市占率第二，布局利基DRAM和SLC NAND。佰维存储2025年报确认全球DRAM原厂为三星、SK海力士和美光，公司在利基DRAM和2D NAND领域与之直接竞争替代。东芯股份2025年报披露三星MLC已进入EOL阶段。国盛证券2026-05-07研报确认利基DRAM全面涨价，公司26Q1营收+119%，利润+523%，存储芯片收入占比71.3%，DRAM环比翻倍增长。
全球内存接口芯片龙头，2024年市占率36.8%位列第一。东海证券2026-05-19研报明确指出公司产品已导入三星电子、SK海力士、美光等全球头部DRAM供应商供应链。开源证券2026-05-11研报确认2025年内存接口芯片收入51.39亿元(yoy+53.43%)，三星是公司CXL MXC芯片合作伙伴。全球DRAM供应链任何重大变动均直接传导至公司。
通过收购ISSI切入利基存储市场，DRAM和SRAM与三星、SK海力士存在直接竞争替代。2025年报存储芯片收入占比61.4%(29.11亿元)，车规SRAM全球领先。东方证券2026-05-11研报指出公司深度受益利基存储紧缺，26Q1存储芯片营收10.18亿元(yoy+54%)，正推动DRAM向20/18/16nm先进制程迭代。
国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整存储芯片解决方案的企业。2025年报明确指出三星MLC产品进入EOL阶段，国际大厂产能战略调整带来结构性市场机遇。公司采用1xnm NAND和48nm NOR领先制程。申万宏源2026-05-06研报确认DDR4因国际大厂策略调整导致供给收缩、价格上涨，公司26Q1净利率高达29%。
NOR Flash和EEPROM全球主要供应商之一，产品应用于三星、OPPO、vivo等品牌。在NOR Flash市场与三星存在直接竞争关系。三星已宣布MLC产品EOL并逐步缩减NOR Flash产能，公司作为全球NOR Flash和EEPROM主力供应商将直接受益份额提升。2025年报芯片产品收入100%来自存储芯片，韩国企业产能转移将加速市场格局重塑。
国内半导体设备龙头，产品涵盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、炉管等关键工艺设备，2025年报电子工艺装备收入占比93.3%。若韩国半导体关税推动全球供应链重构，国内存储芯片厂商加速扩产将直接拉动设备需求。SEMI数据显示2025年中国大陆半导体设备市场493.1亿美元居全球首位，国产设备替代空间持续扩大。
国内刻蚀设备领先企业，CCP和ICP刻蚀设备已进入国内主流存储芯片制造厂供应链，产品广泛应用于存储芯片高深宽比刻蚀等关键制程，概念板块包含高带宽存储器HBM。若美半导体关税推动全球存储芯片供应链重构，国内存储厂商扩产加速将直接带动刻蚀设备需求，公司在存储芯片制造设备国产化中具有核心地位。
国内半导体薄膜沉积设备龙头，PECVD、ALD、SACVD等产品已广泛应用于逻辑芯片和存储芯片制造领域，概念板块包含高带宽存储器HBM。2025年报半导体专用设备收入占比96.6%。薄膜沉积是存储芯片制造尤其是3D NAND和先进DRAM的关键制程步骤，韩国企业因关税调整产能将显著拉动ALD/CVD设备需求。