国家发改委价格监测中心报告显示存储芯片价格持续上涨并向下游传导，DRAM和NAND价格创2016年以来新高
国家发改委价格监测中心发文称，受需求"爆发式"增长、产能"断崖式"紧缺等因素影响，全球存储器市场缺口扩大，存储芯片价格持续上涨且涨幅呈现扩大态势。截至今年1月，DRAM和NAND闪存价格均创2016年有数据以来最高。以主流型号为例，1月DRAM（DDR4 8Gb 1G*8）合约平均价格为11.5美元，比上月上涨约24%，比2025年9月上涨约83%；NAND闪存（128Gb 16G*8 MLC）合约平均价格为9.5美元，比上月上涨约65%，比2025年9月上涨近1.5倍。报告建议关注存储芯片对下游价格的影响。
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