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【美国证券交易委员会或在6月22日当周批准SK海力士的美国存托凭证上市申请】财联社6月10日电,据报道,韩国存储芯片制造商SK海力士计划最早于8月在美国上市,美国证券交易委员会很可能在6...
控股子公司海太半导体(持股55%)与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》(2025.7-2030.6),以"全部成本+约定收益"模式提供后工序服务。2022-2024年该业务占同类业务总量82%-84%,SK海力士持股海太45%。近4日主力净流入2307万元。
子公司联合创泰是SK海力士、MTK等品牌的授权分销商(来源:商络电子可转债回复公告)。电子元器件分销收入占总营收94.2%,SK海力士是核心代理品牌。
公告明确SK海力士是主要客户(来源:2025年定增保荐书),公司为台积电、SK海力士等厂商的超高纯溅射靶材供应商。靶材收入占61.9%,SK海力士募资扩产直接拉动采购需求。
公告披露已通过SK海力士、中芯国际、台积电等认证(来源:2025年年报)。电子级磷酸、硫酸等湿电子化学品是存储芯片制造关键耗材。
已进入SK海力士、英特尔、美光等全球半导体企业供应链体系。深度布局HBM产业链,为TSV工艺提供先进刻蚀气体,SK海力士HBM扩产直接利好。
全球DDR5内存接口芯片龙头,内存接口芯片收入占94.2%。SK海力士(DRAM市占33.2%)扩产加速DDR5/HBM迭代,直接拉动SPD Hub等芯片需求。
向SK海力士等原厂采购存储晶圆,年报引用SK海力士33.2%的DRAM份额。具备先进封装能力(16/32层叠Die),HBM/AI需求扩张推动晶圆用量增长。
掌握TSV硅通孔、2.5D异构集成等先进封装技术,可实现HBM封装。SK海力士扩产HBM先进封装产能,国内封测龙头有望承接外溢订单,国外收入占66.6%。
公告明确"重点布局2.5D、HBM等新兴领域,持续获得国内头部客户订单"(来源:2025年业绩快报)。HBM产能扩张带动先进封装涂胶显影设备需求。
存储品牌企业,向SK海力士等原厂采购DRAM/NAND颗粒,嵌入式存储收入占44%。SK海力士上市扩产保障上游晶圆供应稳定性。
NOR Flash全球市占率第二,布局利基型DRAM,存储芯片收入占71.3%。SK海力士美国上市强化全球存储竞争,加速国产替代。
存储芯片收入占61.4%,SRAM/DRAM/NOR Flash在全球车规存储市场地位重要。推进3D DRAM研发面向AI存储,国产替代受益。
TSV硅通孔驱动的2.5D/3D封装是HBM及HPC需求外溢的主要载体(来源:2025年年报)。公司专注晶圆级TSV先进封装,HBM爆发带动封装产业链扩容。
年报深度分析SK海力士HBM扩张(美印州38.7亿美元建厂、资本支出30万亿韩元)。硅零部件已进入主流存储芯片厂供应链,是刻蚀工艺核心耗材。
公告披露研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目(来源:2026年定增预案)。HBM/AI存储爆发直接拉动高端芯片测试需求。
存储主控芯片设计及模组企业,固态硬盘收入占42.5%、嵌入式占34%。SK海力士扩产改善DRAM/NAND晶圆采购环境,利好模组厂商。
大陆少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储芯片设计公司,NAND收入占65.2%。SK海力士上市凸显存储战略价值,国产替代加速受益。
存储半导体业务收入占67.3%,涵盖芯片封测和模组产品。SK海力士融资扩产保障存储晶圆供应,利好下游封测及模组企业。
TSV清洗设备应用于2.5D/3D先进封装,DRAM清洗覆盖10nm节点及70多步应用。HBM产能扩张带动TSV工艺设备需求。
等离子体刻蚀设备龙头,3D NAND高深宽比刻蚀需求随层数增加爆发式增长。SK海力士2026年资本支出30万亿韩元扩产,刻蚀设备间接受益。
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